所谓等离子即是部分离子化的气体。. 12) 플라즈마 공정 시 공정 압력은 5mTorr로 RF 파워는 200W로 고정하였고, 플라즈마 공정 변수로는 혼합 가스 분압의 비와 플라즈마 처리시간으로 하였으며, 각 플라즈마 처리 … 플라즈마 처리 장치 Download PDF Info Publication number KR20160030812A. 본 발명에 일 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치(1)는 절곡된 형태를 가지며 제1 챔버(110)에 플라즈마를 발생시키고, 이와 동시에 제1 챔버(110)의 하부에 제1 챔버(110)와 독립적으로 배치되는 제2 챔버(120)에 플라즈마를 발생시키는 단위 플라즈마 전극(200)을 포함하는 . 선택적 플라즈마 처리 방법은, 플라즈마 처리 장치의 처리실 내에서, 표면에 실리콘과 질화실리콘층을 가지는 피 처리체에 대하여 산소함유 플라즈마를 작용시켜 실리콘을 선택적으로 산화 처리하여, 형성되는 실리콘 산화막의 막두께에 대하여, 질화실리콘층 안에 형성되는 실리콘산질화막의 . 이러한 특징에 의하면, 기판의 양면 중 어느 일 면을 선택적으로 처리할 수 있을 뿐만 아니라 . 일실시 형태에 있어서의 플라즈마 처리 장치에서는, 마이크로파 생성부와 서큘레이터의 제 1 포트를 접속시키는 제 1 도파관에 제 1 방향성 결합기가 마련되어 있다. 플라즈마 처리 장치(1)는, 마이크로파를 전송하는 도파관(5)과, 마이크로파 원으로부터 도파관(5)을 통해 마이크로파를 방사하는 안테나(4)와, 안테나(4)로부터 방사되는 마이크로파를 전파하여 플라즈마 처리 용기(1)의 내부에 … 본 발명은 온도 조절 설비를 간소화하면서, 처리 용기 내에서의 부착물이나 아킹의 발생을 방지할 수 있는 플라즈마 처리 장치를 제공한다. 본 발명에 의하면, 실리콘 기판 표면을 질화 처리함에 있어서, 플라즈마 발생부와 실리콘 기판의 사이에 개구부를 갖는 구획판이 배치되고, 실리콘 기판 표면에 있어서의 전자 밀도가 1e+7(개·㎝ -3 )∼1e+9(개·㎝ -3 )로 되도록 제어된다. 저온/상압 플라즈마 표면처리 기술 과제의 2단계 사업의 주요내용은 1단계에서 확보된 상압 플라즈마 기술과 저온 플라즈마 방전 기술을 토대로 실제 공정에 적용하여 공정 단축 및 … 본 발명은, 플라즈마 처리 장치로서, 진공 상태에서 대상물에 대해 플라즈마 처리를 하는 반응부와, 상기 대상물을 놓는 트레이를 구비한 지그와, 상기 트레이가 상기 반응부로 이동되도록 상기 지그를 수평으로 이동시키는 수평 이송부와, 상기 수평 이송부와 이격되어 배치되고, 상기 반응부로 . 2023 · 材料的大小. [해결수단] 플라즈마 처리 장치는, 일단부에 개구부(11)가 형성되어, 내부에 프로세스 가스가 도입되는 통형 전극(10)과, 통형 전극(10)에 대하여 전압을 인가하는 rf 전원(15)과, 워크(w)를 반송하여 개구부(11)의 . 플라즈마 발생 수단과, 피처리 기판에 대하여 플라즈마 처리를 행하기 위한 처리실을 구획하는 처리 용기와, 처리 용기 내에서 피처리 기판을 얹어 놓는 기판 유지대와, 처리 용기 내를 감압하기 위한 배기 수단을 포함한 플라즈마 처리 장치(100)에 있어서, 마이크로파 투과판(28)을 지지하는 지지부(27 .
지지부는, 플라즈마 처리의 대상으로 된 피처리체가 배치되는 배치대를 지지하고, 플라즈마 처리에 이용되는 배선이 배치된다. 제 1 방향성 결합기에는 제 1 검출기가 접속되어 있다. 플라즈마 처리 장치가 웨이퍼를 지지하기 위하여 그 내부에 지지대가 배치된 챔버를 포함한다. 또한 이중으로 플라즈마를 발생시키기 때문에 한번에 방전되지 못한 방전 가스를 완전하게 방전시키며 유지할 . 유전체 부재는 탑재대의 적어도 탑재면을 착탈 가능하게 덮을 수 있도록 설치된다. 固体等离子 … 본 발명은 웨이퍼에의 손상의 발생을 방지하는 것을 목적으로 한다.
플라즈마 표면처리 기술은 우리 생활 곳곳에서 쉽게 찾을 수 있는데요. 본 발명은 플라즈마 처리 장치 및 방법을 개시한 것으로서, 반응기와 유도 결합형 플라즈마 안테나의 사이에 유전체를 개재시키고, 유도 결합형 플라즈마 안테나를 유전체에 밀착 배치함으로써, 유도 결합형 플라즈마 안테나에 낮은 알에프 파워를 인가하여 플라즈마를 발생할 수 있다. 본 발명의 장치는 샤워 헤드들이 복수 개가 분리되어 제공된다. 플라즈마 처리의 면내 균일성이 높고, 또한 차지업 손상이 발생하기 어려운 용량 결합 용량 결합형의 플라즈마 처리 장치를 제공하는 것이다. 플라즈마 산화 처리 장치는, 피처리체를 수용하고, 내부에서 플라즈마 처리를 행하는 진공 유지 가능한 처리 용기와, 처리 용기 내에서 피처리체를 탑재하는 탑재대와, 복수의 슬롯을 갖고, 상기 처리 용기 내에 마이크로파를 도입하는 평면 안테나와, 처리 용기 내에 처리 가스를 도입하는 가스 도입 . 본 발명은, 가스 노즐에 있어서 이상 방전을 방지하는 것을 목적으로 한다.
모임 스톤 본 발명은 플라즈마 처리 장치 및 방법을 개시한 것으로서, 플라즈마를 이용하여 기판상의 증착 공정 및 그 공정을 수행한 장치의 클리닝 공정을 수행함에 있어서, 플라즈마 하전 입자들의 기판 및 기판 지지 부재와의 충돌량을 상이하게 조절하여 증착 공정 및 클리닝 공정을 수행하는 것을 . 플라즈마 처리 장치는 플라즈마 처리 공정이 진행되는 공정 챔버, 공정 챔버 내에 위치하며 기판이 안착되는 척 및 척의 하부에 위치하며, 다수개의 가스홀을 구비한 배플을 포함하여 척의 하면에 건조 가스를 균일하게 공급하는 척 건조 장치를 포함한다. 진행파의 파워의 검출 정밀도 및 반사파의 파워의 검출 정밀도를 향상시킨다. 고주파 전원은, 펄스상의 음극성의 직류 전압이 하부 . 분말 플라즈마 처리 장치는 분말의 플라즈마 처리를 위한 챔버; 상기 챔버 상부에 위치한 분말 공급부 및 상기 분말 공급부 아래, 그리고 상기 챔버 내에 위치하는 다수의 판형 면방전 플라즈마 모듈을 … 플라즈마 반응기의 최적의 반응조건을 조사하기 위해서 반응가스 (질소, 아르곤, 산소, 공기), 가스의 유량 (30~150 mL/min), 그리고 반응시간 (0~30초) 등을 변화시켜 전처리하여 … 기계적 강도를 유지하면서, 비교적 경량인 기구를 이용하여 금속창을 설치한 플라즈마 처리 장치를 제공한다. Plasma clean 一般常用之气体为O2及Ar,其反應式如 下: A: H*+有机物 CxH (y+2) B: Ar* +有机物 小且轻的有机物 对Wire … 플라즈마 처리장치가 개시된다.
본 발명은, 종자가 포함된 배양액에 방전 플라즈마를 발생시켜 종자 및 종자 배양액을 플라즈마 처리 방법에 관한 것이다. 본 발명은 플라즈마 처리장치의 배플 구조에 관한 것으로, 그 구성은 플라즈마 처리장치에 있어서, 진공챔버 내벽과 하부전극의 사이 공간에 구비되는 배플과; 상기 배플에 형성되되, 상기 하부전극에서 소정 간격 이격된 상태로 형성되고, 등간격 배열되어 공정가스를 배기하는 관통공;을 포함하여 . 가스 도 플라즈마 처리 방법에서는, 연직 방향에 있어서의 포커스 링의 상면의 위치와 기준 위치 사이의 차이를 감소시키도록, 포커스 링 상에 유기막이 형성된다. 각각의 샤워 헤드는 그 길이 방향이 제1방향을 따라 배치되고, 샤워 헤드들은 제1방향에 . 본 발명에 일 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치(1)는 상호 독립적으로 배치되는 제1 챔버(110)와 제2 챔버(120)를 가지며, 기판(10)이 투입되어 플라즈마 처리되는 단위 챔버 어셈블리(100); 및 절곡된 형태를 가지며 제1 챔버(110) 및 제2 챔버(120)에 플라즈마를 발생시키는 . (해결 수단) 플라즈마 처리 장치(10)는, 웨이퍼 w를 수용하여 에칭 처리를 실시하는 수용실(11)과, 수용실(11) 내의 처리 공간 ps에 고주파 전력을 공급하는 서셉터(12)와, 처리 공간 ps에 직류 전압을 인가하는 상부 전극판(39)과, 배기 유로(18)에 마련되는 접지 링(45)과 . 골칫거리 폐기물, 플라즈마로 태워 없앤다? : 네이버 블로그 또한 Parylene Coating 과 … 본 발명은 플라즈마 처리 장치에 관한 것으로, 반응 공간을 갖는 챔버와, 상기 챔버의 측벽면에 마련되어 상기 측벽면을 둘레를 따라 회전하는 적어도 하나의 안테나부와, 상기 안테나부를 회전시키는 회전 부재 및 회전하는 상기 안테나부에 플라즈마 전원을 제공하는 플라즈마 전원부를 포함하는 . 유도 결합형의 플라즈마 처리에서 챔버 내에 형성되는 도너츠 형상 플라즈마 내의 플라즈마 밀도 분포를 효율적으로 임의로 제어하는 것이다. 2009 · 플라즈마 표면처리 기술은 기체 상태의 입자를 기판이나 물건의 표면에 쏘아서 절연 막 또는 전도성 막 등 얇은 막을 형성하는 기술로, 기존의 증착 방식에 비해 … 본 발명은, 배치대 상의 피처리 기판에 대하여 플라즈마 중의 이온을 경사 방향으로부터 균일하게 입사시키는 것을 목적으로 한다. [과제] 절연물이 포함되는 워크를 처리하는 경우라도, 플라즈마 방전을 안정화시킨다. 2021 · 플라즈마 밀도와 균일도를 향상시켜 태양전지 제조를 위한 대면적 기판의 처리가 가능한 플라즈마 처리장치가 개시된다. 이어 이번에 200L 드럼을 포함한 다양한 .
또한 Parylene Coating 과 … 본 발명은 플라즈마 처리 장치에 관한 것으로, 반응 공간을 갖는 챔버와, 상기 챔버의 측벽면에 마련되어 상기 측벽면을 둘레를 따라 회전하는 적어도 하나의 안테나부와, 상기 안테나부를 회전시키는 회전 부재 및 회전하는 상기 안테나부에 플라즈마 전원을 제공하는 플라즈마 전원부를 포함하는 . 유도 결합형의 플라즈마 처리에서 챔버 내에 형성되는 도너츠 형상 플라즈마 내의 플라즈마 밀도 분포를 효율적으로 임의로 제어하는 것이다. 2009 · 플라즈마 표면처리 기술은 기체 상태의 입자를 기판이나 물건의 표면에 쏘아서 절연 막 또는 전도성 막 등 얇은 막을 형성하는 기술로, 기존의 증착 방식에 비해 … 본 발명은, 배치대 상의 피처리 기판에 대하여 플라즈마 중의 이온을 경사 방향으로부터 균일하게 입사시키는 것을 목적으로 한다. [과제] 절연물이 포함되는 워크를 처리하는 경우라도, 플라즈마 방전을 안정화시킨다. 2021 · 플라즈마 밀도와 균일도를 향상시켜 태양전지 제조를 위한 대면적 기판의 처리가 가능한 플라즈마 처리장치가 개시된다. 이어 이번에 200L 드럼을 포함한 다양한 .
KR20100041103A - 플라즈마 처리장치 - Google Patents
반도체 웨이퍼가 삽입되는 챔버와, 챔버내에 처리가스를 도입하는 처리가스 도입관과, 절연체를 통하여 상기 챔버의 바깥쪽 상기 피처리체에 대향하는 부분에 설치되고, 고주파전력이 공급되므로써 피처리체 근처에 유도전계를 형성하기 위한 안테나와, 적어도 그 일부가 안테나에 겹치도록 배치된 . 본 발명은 소정의 박막 패턴을 갖는 소자가 형성된 웨이퍼와 같은 기판의 배면에 형성된 각종 이물질을 제거하기 위한 플라즈마 처리 장치에 관한 것으로서, 제1가스가 분사되는 제1전극; 상기 제1전극과 상호 이격되어 기판을 지지하는 기판 지지대; 및 상기 기판 지지대와 이격배치되며, 전원이 . 본 발명은 플라즈마를 발생시켜 피처리물에 대하여 소정의 처리를 하는 장치에 있어서, 보다 상세하게는 스퍼터 건을 중심으로 360°의 범위에서 전방위적으로 스퍼터링할 수 있는 플라즈마 처리장치에 관한 것이다. 표면파 플라즈마원에 있어서의 출력부로부터 출력된 마이크로파를 처리 용기 내에 방사하는 복수의 마이크로파 방사 기구를 갖는 플라즈마 처리 장치로서, 기판에 플라즈마 처리를 행하지 않는 동안, 기판에 플라즈마 처리를 행할 . 본 발명은 기판 디척킹(dechucking) 작업시 기판 표면의 플라즈마 전하를 최소화시켜 플라즈마 데미지(plasma damage)를 방지하기 위한 플라즈마 처리 방법을 제공하기 위한 것으로, 이를 위해 본 발명은 플라즈마 처리 장치의 챔버 내부의 정전척상에 정전기력으로 안착된 기판에 대하여 가공 공정을 . 해결해야 할 기술적 난제는 무엇일까요? 또 기존의 플라즈마 폐기물 처리 방식과는 ….
플라즈마 처리 장치(100)는, 기밀하게 구성되고, 접지된 대략 원통형의 챔버(1)를 갖고 있고, 챔버(1)의 상부에는, 안테나 부재(30)가 배치되어 있다. 2010 · 분석하였다. 유기막, 마스크막 및 레지스트막이 순서대로 적층된 피처리체를 플라즈마에 의해 처리하는 플라즈마 처리 방법으로서, 레지스트막에 정해진 패턴이 형성된 피처리체가 반입된 챔버 내에 h 2 가스, 할로겐화 수소 가스, 또는, 희가스와 h 2 가스 또는 할로겐화 수소 가스를 포함하는 혼합 가스인 개질 . 지지 구조체가 처리 용기 내에서 피처리체를 유지한다. 액상의 피처리 대상물을 플라즈마 생성물로 처리하기 위한 플라즈마 처리장치는, 피처리 대상물과 분리된 기체 유입구 및 피처리 대상물과 연통된 기체 배출구가 형성되는 유전체관, 피처리 대상물로부터 격리되게 유전체관 내측에 배치되는 코어전극, 및 기체 유입구로 기체를 공급하는 기체 . 하부 전극은, 처리 공간의 아래쪽에 마련되어 있다.Neslihan Gunes İfsa Onnbi
본 발명에 관련된 플라즈마 처리장치(10)는, 진공용기(11)와, 진공용기(11)의 내부공간(111)에 돌출하도록 설치된 안테나(플라즈마 생성수단) 지지부(12)와, 안테나 지지부(12)에 장착된 . 플라즈마 처리 장치가 제공된다.본 발명은 반도체 기판 에지 영역에 퇴적되는 박막 또는 파티클을 제거할 수 있는 플라즈마 처리 방법에 관한 것으로서, 플라즈마 처리 장치 내의 기판 지지대 상에 기판의 중심 영역을 안착시키는 단계; 상기 플라즈마 처리 장치 내에 공정 가스를 유입하는 단계; 상기 플라즈마 처리 장치 내에 . 평행 평판형의 플라즈마 처리 장치(1)에 있어서, 배플판(28)을 챔버(2)의 천정(2b)과 측벽(2a)의 사이에 삽입하여 설치한다. 플라즈마 처리장치가 개시된다. 2010 · 신개념의 플라즈마 폐기물 소각로 개발로 깨끗한 환경 조성에 기여한다는 방침인데요.
천판(15)은 그 내부에 반사 부재(23a, 23b)를 구비한다. 플라즈마 처리 장치는 전극들 사이에서 고주파 전계를 발생시키기 위해 반응용기 내에 배치되어 있는 한 쌍의 전극들을 갖고 있는 고주파 전계 발생 메카니즘, 및 상기 고주파 전계 발생 메카니즘에 의해 발생되는 고주파 전계와 공간적으로 중첩하지 않는 자계를 발생하도록 반응 용기 외부에 . 배플판(28)을 흐르는 리턴 전류는 챔버(2)의 천정(2b)을 . 본 발명은 플라즈마 처리 방법 및 장치에 관한 것으로, 기판 처리 공정 종료 후 불활성 가스를 챔버 내로 인입하고, 챔버 내의 압력을 유지하는 단계와, 정전 흡착시 가해지는 전압과 반대 극성의 직류 전압을 인가하는 단계와, 기판을 정전척으로부터 분리시키는 단계로 구성된다. KR20140084551A - 수중 종자 플라즈마 처리 방법 - Google Patents 수중 종자 플라즈마 처리 방법 Download PDF Info Publication number KR20140084551A . 본 발명은 플라즈마 처리 장치 및 방법을 개시한 것으로서, 플라즈마 방전 전극들 사이에 로딩된 기판의 처리 면에 따라 전극들 사이에 생성된 플라즈마의 방향성을 제어하는 것을 특징으로 가진다.
플라즈마, 파티클, 식각, Bevel, 링 본 발명은 반응 공간을 제공하는 챔버와, 상기 챔버 내부의 하부에 위치되는 하부 전극 및 상기 하부 전극의 외주면을 둘러싸도록 소정 높이를 가지는 측벽부를 구비하고, 상기 측벽부의 상단부에 기판이 안착되는 플라즈마 감금 . 플라즈마 처리 장치는 웨이퍼를 지지하는 정전 척(electrostatic chuck), 상기 웨이퍼를 둘러싸도록 배치된 포커스 링(focus ring) 및 상기 포커스 링의 외주면을 둘러싸도록 배치된 절연 링, 및 상기 포커스 링 및 상기 절연 링의 하부를 지지하고, 상기 정전 척과 이격되어 . (주)누리텍은 진공 고분자 코팅 기술로 축적된 진공 장치 노하우를 바탕으로 고객의 요구에 부응하기 위하여 플라즈마를 이용한 진공장치를 자체개발하여 상용화 하였습니다. 플라즈마 처리 전의 폴리카보네이트의 탈이온수의 접촉각은 82. 플라즈마 처리 장치는, 기판에 플라즈마 처리를 실시하는 처리 공간을 내부에 갖는 기판 처리실과, 처리 공간에 무선 주파수 전력을 인가하는 rf 전극과, 처리 공간에 dc 전압을 … 2010 · 분석하였다. 상기 마이크로파 도입 장치는, 복수의 소정 출력의 마이크로파를 출력하는 . · 플라즈마 디스미어, 플라즈마 클리닝, 플라즈마 표면처리, 코팅 (PVD) 전문 업체. 상부 전극(118)의 주연부는 제 1 환상체(122)에 의해 피복되고, 그 주위에 원통형상체(124)가 . 플라즈마 처리 장치가 제공된다. 본 발명은 플라즈마 처리장치에 관한 것으로, 플라즈마가 발생되는 공정 공간을 형성하는 챔버; 상기 챔버 내에 구비되며, 다수개의 바(bar)가 사다리(ladder) 형태로 연결되고 상기 바(bar) 각각은 길이 방향으로 가우스 곡선 모양을 가지는 상부 전극; 상기 챔버 내의 상기 상부 전극과 대향되는 위치에 . 처리실(5)을 형성하는 본체 용기(2)의 측벽(2a)의 내측에 열매체 유로(43)를 마련한 보호 플레이트(41)를 배치하는 동시에, 측벽(2a)의 내면과 보호 플레이트(41 . 필터부는, 배선의 단부에 접속되고, 배선을 전파하는 노이즈를 감쇠한다. 로고 다운로드 afb3ci 예시적 실시형태의 플라즈마 처리 장치에서는, 고주파 전원이, 플라즈마의 생성을 위하여 고주파 전력을 발생시킨다. 플라즈마 처리 장치는 플라즈마 처리를 내부에서 실행하기 위한 챔버(1)와, 이 챔버(1)의 상측을 막는 유전체로 이루어지는 천판(15)과, 이 천판(15)을 거쳐 고주파를 챔버(1) 내에 공급하는 고주파 공급 수단으로서의 안테나부(3)를 구비한다. 본 발명은 미립자의 발생량이 적고, 플라즈마를 피처리체에 균일하게 도입할 수 있는 플라즈마 처리 장치를 제공한다. 본 발명은 플라즈마 토출구가 하측 및 측방으로 돌출되어 곡면 형상의 피처리물에 대해서도 효과적으로 대응할 수 있는 곡면 처리용 플라즈마 처리장치에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 곡면 처리용 플라즈마 처리장치는, 다수의 관통홀이 형성되어 있는 평면형의 유전체 베이스 전극; 상기 유전체 . 즉 본 발명은, 로드락 챔버, 반송 챔버 및 공정 챔버로 이루어지고, 각 챔버 사이에는 각 챔버를 단속하는 게이트 밸브가 구비되는 플라즈마 처리장치에 . 진공 배기된 처리 공간(100) 내에서 피처리 기판(g)에 대해서 플라즈마 처리를 실행하는 플라즈마 처리 장치(1)에 있어서, 금속제 처리 용기(10)는 피처리 기판(g)의 탑재대를 구비하고, 그 . KR101002513B1 - 플라즈마 처리 장치 - Google Patents
예시적 실시형태의 플라즈마 처리 장치에서는, 고주파 전원이, 플라즈마의 생성을 위하여 고주파 전력을 발생시킨다. 플라즈마 처리 장치는 플라즈마 처리를 내부에서 실행하기 위한 챔버(1)와, 이 챔버(1)의 상측을 막는 유전체로 이루어지는 천판(15)과, 이 천판(15)을 거쳐 고주파를 챔버(1) 내에 공급하는 고주파 공급 수단으로서의 안테나부(3)를 구비한다. 본 발명은 미립자의 발생량이 적고, 플라즈마를 피처리체에 균일하게 도입할 수 있는 플라즈마 처리 장치를 제공한다. 본 발명은 플라즈마 토출구가 하측 및 측방으로 돌출되어 곡면 형상의 피처리물에 대해서도 효과적으로 대응할 수 있는 곡면 처리용 플라즈마 처리장치에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 곡면 처리용 플라즈마 처리장치는, 다수의 관통홀이 형성되어 있는 평면형의 유전체 베이스 전극; 상기 유전체 . 즉 본 발명은, 로드락 챔버, 반송 챔버 및 공정 챔버로 이루어지고, 각 챔버 사이에는 각 챔버를 단속하는 게이트 밸브가 구비되는 플라즈마 처리장치에 . 진공 배기된 처리 공간(100) 내에서 피처리 기판(g)에 대해서 플라즈마 처리를 실행하는 플라즈마 처리 장치(1)에 있어서, 금속제 처리 용기(10)는 피처리 기판(g)의 탑재대를 구비하고, 그 .
카길 사료 연간 102만t 최첨단 시스템 생산오염도 없고 사고도 없네 KR20160030812A KR1020140120478A KR20140120478A KR20160030812A KR 20160030812 A KR20160030812 A KR 20160030812A KR 1020140120478 A KR1020140120478 A KR 1020140120478A KR 20140120478 A KR20140120478 A KR … Classifications. 처리 가스를 플라즈마화시켜 기판을 처리하는 플라즈마 처리 장치(1)에 있어서 . 평판형의 코일로 된 안테나가 웨이퍼 본 발명은 플라즈마 처리 장치에 관한 것으로, 플라즈마를 이용한 소정의 처리가 이루어지는 반응챔버와, 상기 플라즈마를 이용한 소정의 처리의 대상물이 장착되는 스테이지와, 상기 플라즈마를 유도하는 파워를 인가하는 전원 공급부와 조합되고 상기 반응챔버의 중앙부로부터 가장자리쪽으로 . 안테나는, 챔버 내에 마이크로파를 방사하도록 구성되어 있다. 예시적 실시형태에 관한 플라즈마 처리 장치는, 챔버, 마이크로파 발생기, 안테나, 및 동축 도파로를 구비한다. [과제] 불안정한 방전을 억제하는 기술을 제공하는 것.
유기막이 형성된 후에, 기판에 대하여 플라즈마 처리가 실행된다. 真空等离子处理是要把材料放入真空腔内进行处理,选择真空腔尺寸的参考因素是材料的大小和批处理的数量, 一般科研型的真空等离子处理仪的腔体 … 플라즈마 에칭 장치(2)는 처리 용기(4)내에 가스 배출 구멍(36)으로부터 불활성 가스와 반응성 가스를 공급함과 동시에, 이들 가스를 고주파 방전을 통해 플라즈마 상태로 하고, 이 플라즈마를 이용해서 서셉터(8)상의 반도체 웨이퍼 w에 대해 에칭을 행한다. 본 논문에서는 우리는 플라즈마 처리를 통해 소수성 의 특성을 가진 분리막 이 친수성화 되는 것을 확인하였고, 이는 플라즈마 처리를 통해 높은 분리막의 Abstract 2003 · 박테리아를 총 4번의 플라즈마 처리를 하였으며 플라즈마 처리 전과 비교하였을 때 처리 후에 약 50% 이상의 박 테리아가 비활성화되며, 또한, 세포 내부의 … 분말 플라즈마 처리 장치가 개시된다. KR101428525B1 - 수중 종자 플라즈마 처리 방법 - Google Patents 수중 종자 플라즈마 처리 방법 Download PDF Info Publication number KR101428525B1 . 본 발명은, 플라즈마를 안정적이면서도 효율적으로 발생시킬 수 있어, 기재의 원하는 피처리 영역 전체를 단시간에 효율적으로 처리할 수 있는 플라즈마 처리 장치를 제공한다.什么是Plasma?Plasma翻译成中文是等离子。.
… 플라즈마 처리 장치는, 지지부와, 필터부와, 승강부를 갖는다.17°의 최소 접촉각을 얻을 수 있었다 . 플라즈마원이 가스 공급계에 의해서 공급되는 가스를 여기시킨다. Plasma with RF clean 原理. [해결 수단] 플라즈마 처리 장치는, 기판이 탑재되는 탑재대가 내부에 마련되고, 기판에 대한 플라즈마 처리가 실시되는 처리실과, 탑재대에 바이어스용의 고주파 전력을 인가하는 고주파 전원과, 도전성 재료로 이루어지고, 접지 전위에 . 동축 도파로는, 마이크로파 발생기로부터 출력되는 마이크로파를 마이크로파 발생기와 안테나의 사이에서 전파하도록 . PLASMA原理 - 百度文库
의료용 플라즈마 처리 장치는 플라즈마의 발생을 위한 전극 모듈이 배치된 방전 모듈(11); 방전 모듈(11)의 내부로 방전 기체를 주입하는 유도 튜브(12); 및 방전 모듈(11)의 내부로 처리 소재를 주입하는 방전 튜브(13)를 포함하고, 전극 모듈은 속이 빈 유전체 소재로 . 플라즈마 처리 방법 . 본 발명은 플라즈마 처리 장치 및 이를 이용한 방법에 관한 것으로서, 특히, 플라즈마 처리에 따른 특성(유기물 제거, 가교반응, 식각반응, 표면화학반응에 의한 구조변화, 살균효과, 젖음성, 접착성, 결합성, 색체 적합성, 표면 강화, 표면 열저항성의 개질, 살균, 유해 단백질 / 박테리아 제거 등)을 . KR20070053168A KR1020067027156A KR20067027156A KR20070053168A KR 20070053168 A KR20070053168 A KR 20070053168A KR 1020067027156 A KR1020067027156 A KR 1020067027156A KR 20067027156 A KR20067027156 A KR … 플라즈마 처리 장치(1)에 있어서, 처리실(3)내의 플라즈마 밀도가 국소적으로 높은 부위에 플라즈마를 실활시키는 칸막이 부재(11)를 설치하여, 피처리 기판(g)에 대한 플라즈마 에칭 속도를 균일화한 것을 특징으로 한다. 스마트폰만 하더라도 핵심 부품인 저장매체, 반도체, 디스플레이 등의 제작을 위해 저압의 플라즈마로 표면처리를 하는 공정이 필수적입니다. .금 파는 곳 -
[해결수단] 일실시형태의 플라즈마 처리 방법의 플라즈마 처리 방법은, 챔버 내에 있어서 기판에 제1 플라즈마 . 본 발명은 플라즈마 처리장치에 관한 것으로, 플라즈마가 발생되는 공정 공간을 형성하는 챔버; 상기 챔버 내에 구비되며, 단면이 가우스 곡선을 이루는 판 형태의 상부 전극; 상기 상부 전극과 대향되는 위치에 구비되며, 기판을 안착하는 하부 전극; 및 상기 상부 전극 및 하부 전극에 서로 다른 . 본 발명의 플라즈마 처리장치는, 플라즈마가 생성되는 공간을 제공하는 반응 챔버; 상기 반응 챔버의 내부에 설치되되, 다수의 기판이 장입되는 기판 트레이; 기판 트레이가 안착되고, 반응 챔버의 내부에서 상하 방향으로 이동 가능하게 마련되는 척; 상기 반응 . 플라즈마 처리장치는 프로세스 챔버, 상기 프로세스 챔버 내에 구비되어 기판이 안착되는 서셉터, 상기 서셉터 상부에 구비되어 유도결합 방식(inductively coupled plasma, ICP)으로 . 처리실에서 유도 플라즈마가 유전체 벽을 통해 여기된다. 일 실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치는, 처리 용기, 가스 공급부, 하부 전극 및 상부 전극을 구비하고 있다.
본 발명의 플라즈마 처리 장치는 처리실의 가스 도입부로부터 불순물을 제거함으로써 피처리체를 고품질 플라즈마 처리한다. 처리 용기는, 처리 공간을 구획하고 있다. [과제] 단일한 플라즈마 처리 장치를 이용하여, 베이스에 공급되는 고주파의 파워 및 요구되는 기판의 면내 온도 분포가 상이한 복수의 공정을 실행하는 플라즈마 처리 방법을 제공한다. 본 발명은 플라즈마 처리장치에 관한 것으로, 플라즈마가 발생되는 공정 공간을 형성하는 챔버; 상기 챔버 내에 구비되며, 단면이 가우스 곡선을 이루는 판 형태의 상부 전극; 상기 챔버 내의 상기 상부 전극과 대향되는 위치에 구비되며, 기판을 안착하는 하부 전극; 및 상기 상부 전극에 서로 다른 . 里面包含带电的离子和不带电的原子、分子团。. 본 발명은 플라즈마 처리 챔버, 및 상기 챔버에 인접하는 무선 주파수 유도 자계를 제공하는 1개 이상의 유도 코일을 포함하는 플라즈마 처리 장치를 개시한다.
원정 포르노nbi 특별 할증 zzz 그룹 LG TV 삼성 TV 비교 Boa Hancock Hentaiamelia Neferetnbi 여덟번째감각 - korean bl